NVTFS4824NTAG-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:70A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:3.5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具备70A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻仅为3.5mΩ，适用于高效率、大电流的开关应用场景。其极低的导通电阻有助于显著降低导通损耗，在电源转换、同步整流及高密度功率模块等电路中可有效提升系统能效与热性能。器件结构设计支持快速开关操作，适合对动态响应和功率密度有较高要求的电子设备。
