CSD17581Q3A_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:120A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:2.9mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具备120A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为2.9毫欧。低导通电阻有效降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效，适用于高电流、高效率要求的电源转换、电机控制及高频开关应用。其电气参数适合在紧凑布局中实现优异的热性能与稳定性，满足对大电流承载能力和快速开关响应的需求。
