SIS448DN-T1-GE3-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:55A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:4.7mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具有55A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻低至4.7毫欧，在栅源电压高达20V的条件下稳定工作。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升系统效率，适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源管理、电机驱动及开关转换等应用场景。器件结构优化了开关特性，能够在高频操作中保持良好的动态响应，适合用于紧凑型高效率电子系统中的功率控制与调节。
