NTD4979NT4G-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:60A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:7mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET支持60A的连续漏极电流，最大漏源电压为30V，导通电阻典型值为7毫欧。凭借较低的导通电阻和较高的电流承载能力，器件在导通状态下的功率损耗较小，有助于提升系统效率。适用于高电流、高频率工作的电源转换、电机控制及各类开关电路中，能够在紧凑布局下维持良好的热性能与电气稳定性。
