SIS782DN-T1-GE3-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:35A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:7.5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具备35A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），在栅源电压驱动下导通电阻（RDS(ON)）为7.5mΩ。其低导通阻抗有助于减少功率损耗，提升系统效率，适用于电源管理、电池供电设备、电机控制及各类高频率开关电路中，能够在紧凑布局下维持良好的热性能与电气稳定性。
