PHD101NQ03LT,118_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:100A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:3.8mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具备100A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻仅为3.8毫欧。其极低的RDS(ON)有效降低了导通状态下的功率损耗，有助于提升整体能效并减少散热需求。适用于高电流、高效率要求的电源管理场景，如服务器电源、通信设备供电模块及高性能计算平台中的负载开关与同步整流应用。器件在大电流工作条件下仍能维持稳定性能，适合对热性能和空间布局有严苛要求的设计。
