SI7860DP-T1-GE3-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:50A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:6.5mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）支持50A的连续漏极电流，最大漏源电压为30V，导通电阻为6.5毫欧，栅源电压额定值为20V。其低导通电阻有助于减小导通状态下的功率损耗，在高电流工作条件下维持较低温升。适用于开关电源、电机驱动、电池管理系统及各类需要高效能功率开关的电子设备中，能够满足频繁开关和稳定导通的运行需求。
