G050P03K_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:120A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:3mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具有120A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至3mΩ，适用于大电流、低电压工作环境。其极低的导通阻抗可有效减少功率损耗与温升，在高效率电源转换、同步整流、负载开关及高密度功率模块等应用中表现出良好的电气性能和热稳定性。
