STL60N3LLH5-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:50A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:6.5mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有50A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、6.5毫欧的导通电阻（RDS(ON)），以及20V的最大栅源电压（VGS）。其低导通电阻有助于在高电流应用中减少功率损耗和温升，适用于高效开关电源、电池管理系统及各类中低压功率转换电路。器件在高频开关条件下仍能保持稳定性能，适合对能效和热管理有较高要求的电子设备。
