MCU50N03A-TP_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:80A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具备80A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为5毫欧。在高电流负载条件下，其低导通电阻有助于有效降低导通损耗，提升整体能效。器件适用于中低压电源系统中的开关与功率控制环节，尤其适合对热管理和效率有较高要求的应用场景，能够稳定支持频繁开关操作并维持较低温升。
