MCAC9D5N06YLHE3-TP_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:65A 参数2：VDSS:60V 参数3：RDON:8mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有65A的连续漏极电流（ID）、60V的漏源击穿电压（VDSS）、8毫欧的导通电阻（RDS(ON)）以及20V的最大栅源电压（VGS）。其极低的导通电阻有助于显著减少导通损耗，提升整体能效，适用于对效率和热管理要求较高的电源系统。典型应用场景包括高电流开关电源、直流-直流转换模块、电机控制电路及各类高效能电子设备中的功率开关环节。
