MCU80N03-TP_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:120A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:3mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有120A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）以及3毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。低导通电阻有效降低导通损耗，提升整体能效，适用于高电流、高效率要求的电源转换、同步整流、电机驱动及大功率便携设备等应用。其结构设计兼顾了开关性能与热稳定性，适合在紧凑布局中实现高功率密度的电路方案。
