NVMFS5C673NLT1G-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:65A 参数2：VDSS:60V 参数3：RDON:8mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET额定漏极电流为65A，最大漏源电压为60V，导通电阻为8毫欧，在栅源电压达20V时可确保可靠工作。其较低的导通电阻有助于降低导通状态下的功率损耗，提升系统能效。器件适用于高电流、高效率要求的电源管理、电机控制及开关电源等应用场合，能够在紧凑布局中实现良好的热性能与电气性能。
