BAT54GW，115_SOD-123_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOD-123 类别：肖特基二极管 最小包装：3000/圆盘 参数1：IF:0.2A 参数2：VR:30V 参数3：VF:0.45V 参数4：IR:0.5uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管采用独立式配置，具有0.2A的正向电流（IF）和30V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）低至0.45V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）仅为0.5μA，表现出优异的阻断特性。器件可承受高达4A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的电源整流、信号检波及低压高频电路等场景，兼顾稳定性和低功耗表现。
