BSC052N03LSATMA1_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:60A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:4.3mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、4.3毫欧的导通电阻（RDS(ON)），以及20V的最大栅源电压（VGS）。其低导通电阻有助于显著降低导通损耗，在高电流应用中维持较高的能效水平。适用于电源转换、电机驱动、电池充放电控制等对效率和热管理要求较高的电子系统，能够在高频开关条件下保持稳定可靠的运行特性。
