TSM060N03PQ33 RGG_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:40A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具有40A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻低至5毫欧。器件适用于高效率电源转换和功率管理场景，其低RDS(ON)有助于减少导通损耗，提升系统整体能效。由于具备较高的电流承载能力和较低的热阻特性，可稳定运行于频繁开关或持续大电流的工作条件中，适合用于各类紧凑型电源模块、便携设备供电系统及高性能计算平台的供电单元。
