FSV10100V-HXY_TO-277_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-277 类别：肖特基二极管 最小包装：5000/圆盘 参数1：IF:10A 参数2：VR:100V 参数3：VF:0.67V 参数4：IR:100uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为10A，最大反向重复峰值电压（VR）达100V。其正向压降（VF）低至0.67V，典型反向漏电流（IR）为100μA，并能承受高达150A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）。凭借较低的导通损耗和良好的瞬态电流耐受能力，适用于对效率和热管理要求较高的开关电源、适配器及各类直流转换电路中。
