BSZ0994NSATMA1-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:40A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有40A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为5毫欧，在低电压应用中可有效降低导通损耗。器件支持高效能电源路径设计，适用于电池供电设备、便携式电子产品、电机驱动及高频开关电路等场景。其低阻抗特性有助于提升整体系统效率，并在有限空间内实现良好的热性能与电气稳定性。
