PXN8R3-30QLJ-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:35A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:7.5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有35A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）以及7.5mΩ的导通电阻（RDS(ON)）。其较低的导通电阻有助于减小导通损耗，提升整体效率，在高电流应用中表现出良好的热稳定性。适用于电源管理、电池供电系统、电机驱动及各类需要高效能开关特性的电子设备。器件在高频开关操作下仍能保持可靠的电气性能，满足对紧凑布局和散热要求较高的电路设计需求。
