NTMFS4841NHT1G-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:80A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:4.7mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET支持80A的连续漏极电流，最大漏源电压为30V，导通电阻仅为4.7mΩ，在栅源电压达20V时仍保持稳定工作。其极低的导通电阻有效降低导通损耗，提升系统效率，适用于高电流密度的电源转换、电池管理系统及各类高效同步整流应用。器件具备优良的热稳定性和快速开关响应能力，适合对体积和能效有严格要求的紧凑型电子设备。
