NVTFS4823NTAG-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:35A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:7.5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具有35A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻为7.5毫欧。在低电压、中等电流的应用中，其导通损耗较低，有助于提升整体效率。适用于电源管理模块、电机驱动电路以及高频开关应用等场景，能够在紧凑设计中维持良好的热稳定性和电气性能。
