SIS406DN-T1-GE3-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:30A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:9mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有30A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至9毫欧。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升系统效率，在高频率开关或大电流负载场景中表现稳定。器件适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源管理、电机驱动及各类电子负载控制等应用场合，能够有效支持高效能电路设计。
