PJQ4404P-AU_R2_000A1_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:40A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具有40A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻低至5毫欧。其低导通电阻有效降低了导通损耗，在高效率电源转换和大电流开关应用中表现优异。适用于对功率密度与热管理有较高要求的场合，如高效电源模块、电机驱动电路及便携式设备中的功率控制单元。器件在高频工作条件下仍能维持稳定的电气性能。
