NVMFS5C426NT3G_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:219A 参数2：VDSS:40V 参数3：RDON:1.2mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具有219A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为40V，导通电阻低至1.2毫欧，在栅源电压达20V时仍能稳定工作。其低导通电阻有助于减少导通损耗，适用于对效率和热性能要求较高的高电流开关场景。器件结构支持快速开关特性，适合用于电源转换、电机驱动及各类高频功率管理电路中，能够在紧凑布局下维持良好的电气性能与可靠性。
