NCEP40T15AGU_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:219A 参数2：VDSS:40V 参数3：RDON:1.2mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET的连续漏极电流（ID）为219A，漏源击穿电压（VDSS）为40V，导通电阻（RDS(ON)）低至1.2毫欧，栅源电压（VGS）额定值为±20V。凭借极低的导通电阻和高电流承载能力，该器件在大电流开关应用中可显著降低功率损耗与温升。适用于高效率电源系统、电机控制、电池管理及各类需要高密度功率处理的电子设备中，具备良好的热稳定性和开关性能。
