TSM085NB03CV RGG_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:55A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:4.7mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具备55A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻低至4.7毫欧，栅源电压额定值为20V。其低RDS(ON)有助于显著降低导通损耗，在高电流应用中维持较低温升。适用于高效率开关电源、多相稳压模块、计算设备主板供电以及便携式电子产品的电源管理单元，能够在高频或持续大电流工况下提供稳定可靠的性能表现。
