IPD047N03LF2SATMA1-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:100A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:3.8mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具备100A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为3.8毫欧。低导通电阻显著降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效，适用于高电流、高效率要求的电源转换、电池管理系统及大功率电子负载等场景。其电气特性支持在高频开关条件下保持稳定工作，适合对热性能和空间布局有严苛要求的电路设计。
