DMT3006LFV-7-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:45A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:6mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具备45A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），在栅源电压（VGS）为20V时，导通电阻（RDS(ON)）典型值为6毫欧。低导通电阻有助于降低导通损耗，提升整体能效，适用于高效率电源转换、电机控制及高频开关电路等场合。其电气特性适合需要大电流承载能力和快速开关响应的电子系统，便于在紧凑布局中实现稳定可靠的功率管理。
