IRFHM8326TRPBF-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:70A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:3.5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有70A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻低至3.5毫欧。其低导通电阻有助于显著降低导通损耗，提升系统效率，适用于高电流密度的电源管理、电池充放电控制及电机驱动等应用。在高频开关条件下，器件表现出良好的开关特性与热稳定性，适合用于对体积和散热要求较高的紧凑型电子设备中，满足高效能量转换的需求。
