MBR20H200CT C0G_TO-220C_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：肖特基二极管 最小包装：50/管装 参数1：IF:20A 参数2：VR:200V 参数3：VF:0.92V 参数4：IR:20uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管采用1对共阴极结构，额定正向电流IF为20A，最大反向电压VR达200V。其典型正向压降VF为0.92V，在高电流工作时仍能保持较低的导通损耗；反向漏电流IR仅为20μA，确保良好的反向阻断能力。器件可承受高达200A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、双路输出电源及各类高效能电源转换电路。共阴极配置有助于简化布线并提升系统集成度。
