DMN39M1LFVWQ-13-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:70A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:3.5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道MOSFET具备70A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻低至3.5毫欧。其极低的RDS(ON)有效降低了导通损耗，在高电流工作条件下仍能保持良好的热性能。适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换、电池管理系统及大电流开关等应用场景，能够在频繁或持续高负载运行中提供稳定可靠的开关特性。
