MBR30100FCT_T0_00001_TO-220F_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：肖特基二极管 最小包装：50/管装 参数1：IF:30A 参数2：VR:100V 参数3：VF:0.82V 参数4：IR:100uA 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该肖特基二极管采用1对共阴极结构，额定正向电流为30A，最大反向电压为100V。在导通状态下，其正向压降为0.82V，有助于降低导通损耗；反向漏电流为100μA，表现出良好的反向阻断能力。器件可承受高达200A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、开关电源输出级以及需要双路同步整流的电路拓扑中，满足对效率与可靠性的较高要求。
