CSD17581Q3AT-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:120A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:2.9mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具备120A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻仅为2.9毫欧。其低导通电阻有效降低导通损耗，在高电流工作条件下仍能维持较低温升。器件适用于对效率和热性能要求较高的电源转换、电池管理系统及大电流开关电路等场合。凭借优异的电气特性和稳定的开关表现，可在高频或持续高负载运行环境中提供可靠支持。
