SISA10DN-T1-GE3-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:120A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:2.9mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具备120A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为2.9毫欧。低导通电阻有效降低导通状态下的功率损耗，有助于提升整体能效并减少散热需求。器件适用于高电流密度的电源系统，如服务器电源、便携式储能设备及各类高效直流-直流转换电路，在频繁开关或持续大电流工作条件下仍可保持稳定性能。
