PJQ4408P-AU_R2_000A1_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:45A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:6mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具有45A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）和6毫欧的导通电阻（RDS(ON)），在栅源电压（VGS）为20V时可实现稳定导通。其低导通电阻有助于减少导通损耗，适用于高效率电源管理、直流-直流转换器及大电流开关应用。器件在高频操作下仍能保持较低的温升，适合对热性能和空间布局有较高要求的电子系统。
