BSZ0589NSATMA1-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:70A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:3.5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET支持70A的连续漏极电流，最大漏源电压为30V，导通电阻低至3.5毫欧。其极低的导通电阻显著减少了导通损耗，适用于大电流、高效率要求的电源路径设计。典型应用场景包括高性能计算设备的供电模块、大功率便携设备以及需要频繁开关操作的直流电源系统。器件在高负载条件下仍能保持较低温升，有助于提升整体系统的热稳定性和长期可靠性。
