BSC030N04NSGATMA1-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:130A 参数2：VDSS:40V 参数3：RDON:2.8mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道MOSFET具备130A的连续漏极电流（ID）和40V的漏源电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为2.8毫欧。低导通电阻有助于减少导通状态下的功率损耗，提升系统效率。器件适用于高电流、高频率工作的电源转换电路，如开关电源、同步整流模块及电机控制等场合，能够在紧凑布局中实现良好的热性能与电气性能。
