DMN3008SFGQ-7_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:60A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:4mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流，最大漏源电压为30V，导通电阻为4毫欧。其低导通电阻有助于减少功率损耗，提升系统效率，适用于对热管理和能效有较高要求的场合。器件支持高频开关操作，在电源转换、电池管理系统以及高密度计算设备等应用中可提供稳定可靠的性能表现。
