GT105N10T_TO-220C_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:70A 参数2：VDSS:100V 参数3：RDON:8.5mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具备70A的连续漏极电流能力，漏源电压额定值为100V，导通电阻典型值为8.5毫欧，栅源电压最高可达20V。低导通电阻有助于在高电流工作时有效降低功率损耗，提升整体能效。器件适用于开关电源、电机控制、逆变器及各类高效率功率转换系统，在高频操作条件下仍能维持良好的热稳定性和电气性能。其参数组合使其适合对体积和效率有较高要求的电子设备中使用。
