OSG65R360DEF_TO-252-2L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:15A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:260mR 参数4：VGS:-5~+16V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为15A，漏源电压耐受能力达650V，导通电阻为260mΩ，栅源驱动电压范围为-5V至!6V。器件基于碳化硅材料，具备低开关损耗与高效率特性，适用于高频开关电源、光伏逆变器、不间断电源及高密度电力转换系统等场合，在提升系统整体能效和减小体积方面具有显著优势。
