DMN3009LFVQ-7-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:70A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:3.5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具备70A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻低至3.5毫欧。其低RDS(ON)特性有效降低了导通状态下的功率损耗，有助于提升系统整体效率并减少散热需求。适用于高电流、高效率要求的电源管理及负载开关应用，尤其在频繁开关或持续大电流运行的电路中表现稳定，能够可靠支持多种电子设备中的功率控制功能。
