TPN5R203PL,LQ_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:60A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:4mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）以及4毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。低导通电阻有效降低导通状态下的功率损耗，有助于提升整体能效并减少散热需求。器件适用于高电流、高效率要求的电源管理场景，如开关电源、电池充放电控制及各类便携式或固定式电子设备中的功率开关应用。
