PHD82NQ03LT,118_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:80A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有80A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻为5毫欧。其低RDS(ON)有助于显著降低导通损耗，在高电流工作条件下仍能维持较高的效率和较低的温升。适用于对功率密度和热性能要求较高的电源转换系统，如服务器、通信设备及高性能计算平台中的同步整流、负载开关和DC-DC转换模块。器件在高频开关应用中亦能保持良好的动态特性。
