NRVTS10100PFST3G-HXY_TO-277_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-277 类别：肖特基二极管 最小包装：5000/圆盘 参数1：IF:10A 参数2：VR:100V 参数3：VF:0.67V 参数4：IR:100uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管采用独立式配置，具备10A的正向电流（IF）和100V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为0.67V，反向漏电流（IR）典型值为100μA，并可承受高达150A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）。低VF有助于减少导通损耗，适合用于高效率要求的电源整流、直流-直流转换及各类消费类电子设备中的续流与保护电路。
