NTMS4801NR2G-HXY_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：ID:15A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:7.5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道MOSFET的连续漏极电流为15A，最大漏源电压为30V，导通电阻为7.5毫欧。器件在典型驱动条件下可实现低损耗导通，适用于电源管理、负载开关、同步整流及中等功率的直流-直流转换电路。其较低的导通电阻有助于减少发热，提升系统整体效率，并支持较高频率的开关操作，适合对能效和热性能有一定要求的电子应用。
