DMT3006LFVQ-13-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:45A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:6mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有45A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），在栅源电压（VGS）为20V时，导通电阻（RDS(ON)）为6毫欧。其低导通电阻有助于有效降低导通状态下的功率损耗，提升系统效率。适用于对电流承载能力和开关速度有较高要求的电源管理、电机驱动及高频开关电路等应用，能够在紧凑的电子系统中实现稳定可靠的性能表现。
