NTMFS4927NT1G_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:80A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:4.7mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET的连续漏极电流（ID）为80A，漏源电压（VDSS）为30V，导通电阻（RDS(ON)）为4.7毫欧，最大栅源电压（VGS）为20V。其低导通电阻有助于在高电流条件下显著降低功率损耗，提升系统效率。适用于开关电源、电机控制、电池管理系统及各类高频率功率转换电路，能够在紧凑布局中实现优异的热性能与电气稳定性。
