FDMC7678-L701-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:60A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:4mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具备60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为4毫欧。其低导通电阻有助于在高电流应用中显著降低功率损耗，提升整体能效。器件结构设计优化了开关特性和热稳定性，适用于对效率与可靠性有较高要求的电源转换、电池管理系统及各类中低压开关电路中，能够有效支持频繁启停和高负载运行场景。
