BSC079N03SG-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:50A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:6.5mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具备50A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻为6.5毫欧，栅源驱动电压最高可达20V。其较低的导通电阻有助于在高电流应用中减少功率损耗和发热，提升系统效率。适用于开关电源、负载开关、电池管理系统以及高频功率转换等电路，在紧凑型设计中可提供可靠的电气性能和良好的热稳定性。
