STD7N65M2-HXY_TO-252-2L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:5.3A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:820mR 参数4：VGS:-8/+19V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具备5.3A的连续漏极电流，最大漏源电压为650V，导通电阻为820mΩ，栅源电压工作范围为-8V至!9V。采用碳化硅材料，器件在高耐压基础上实现了较低的导通损耗，并具有良好的高温稳定性和快速开关能力。适用于对体积、效率及热性能有较高要求的电源转换系统，尤其适合高频运行环境下的功率开关应用。
